云顶网!

设为首页 加入收藏

当前位置 > 主页 > 物联网 >

FRAM RFID开创物联网时代的无源解决方案

点击次数:59  更新时间:2017-08-31 06:57 

8月16日,2017第12届RFID世界应用创新大会在深圳会展中心隆重举办。本次大会共邀请了300余家RFID行业产业链各环节的优秀企业、行业权威专家、RFID终端用户代表共同参与,剖析行业发展方向,共同探索行业发展新模式。富士通半导体有限公司系统存储事业部FRAM RFID高级工程师罗建先生在本次大会上以《FRAM RFID开创物联网时代的无源解决方案》为题,与会嘉宾共同探讨可无线供电的嵌入式创新RFID方案及应用。

FRAM RFID开创物联网时代的无源解决方案

富士通半导体有限公司系统存储事业部FRAM RFID高级工程师罗建先生

  罗总的演讲内容主要包括,对富士通公司的介绍、可无线供电的嵌入式创新RFID芯片及FRAM的产品特点、富士通产品的应用等。

  富士通半导体集团公司是本部位于日本的存储体芯片提供商。公司由三部分组成——存储体的设计开发的公司,晶圆代工制造服务公司和面向全球市场的客户销售服务公司。这样的体制以及严格的实验和测试,确保高稳定性能产品的稳定供货。该公司产品主要涉及FRAM三大业务领域,铁电随机存储器FRAM单体,搭载铁电的RFID产品和安全认证产品。

  罗总表示,到2020年,预计全球将会有500亿设备接入互联网。针对物联网或嵌入式应用的市场需求,富士通今年7月推出了无电池RFID的创新性解决方案。该方案省去了RFID电池供电的需求,省去了MCU,让产品开发周期更短、开发更加容易、成本更加低廉。

  该产品可以直接嵌入到原有的设备,并且由于减去了MCU,让其开发的产品体积更小,具有Master的SPI串口功能,可以直接控制传感器和显示屏,可应用在无源电子纸、键盘、遥控器、传感器等各种创新产品上。

FRAM RFID开创物联网时代的无源解决方案

  该产品还具有一大优势,就是采用了公司的FRAM存储器。FRAM具有快速读写数据能力,如果写入2Mbit(兆比特)的数据,EEPROM需要13.4s,FLASH需要2.9s,而FRAM却仅仅只要0.5s。其次,可以被频繁擦写,一般的存储器像EEPROM的读写次数大概100万次,而FRAM可以达到10万亿次。再次,功耗低,EEPROM在写入时最大电流需要5mA,而FRAM只需要10uA。而且,FRAM具备的频繁的换写次数,高速写数据能力以及低功耗的优势满足了FRAM在工业、民用等领域的各种创新应用。

FRAM RFID开创物联网时代的无源解决方案

FRAM存储技术技术优势参数对比

  据罗总介绍,FRAM应用于RFID有以下几个特点,一是耐辐射性,在强辐射的照射下数据任然可以安全存储;二是低功耗和外部元器件供电,在不稳定电源或者不需要电源状态下,任然可以实现高可靠的读写应用;三是快速读写能力,提高标签的读写吞吐量提高效率。还有,大容量可以满足大量数据的存储,同等的读写距离使应用更方便。

  罗总称,FRAM的RFID产品包括HF和UHF,由于公司的产品具有抗辐射、快速读写的优点,因此被广泛应用于工业自动化、医疗杀菌、无电源以及很多EEPROM RFID 不能满足要求的领域。其中HF产品主要应用在FA上。UHF超高频RFID芯片产品主要应用在医疗杀菌用途上。